G. Franz, F. Schamberger, A. Kutschera, S. Seyedi, D. Jocham:
German Patent DE 10 2012 023 049, Oct. 13, 2022:
Verfahren und Vorrichtung zur strukturierten Beschichtung der Innenseite eines Schlauchs oder Rohrs
G. Franz, F. Schamberger, D. Voss:
German Patent DE 10 2012 014 915, Nov. 18, 2021:
Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials auf einem Substrat über eine
druckgesteuerte Abscheiderate
S.F. Bröskamp, G. Franz, K. Resch, W.D. Hiemeyer, D. Jocham:
German Patent DE 10 2019 001 994 B4, May 20, 2021:
Medizinischer Artikel mit mindestens einem Wirkstoffbereich und Verfahren zum Herstellen und Bearbeiten eines medizinischen Artikels
G. Franz, F. Schamberger, A. Kutschera, D. Jocham:
German Patent DE 10 2012 023 348.5, Jun. 10, 2016:
Untersuchung eines Wirkstoffdepots mittels eines bildgebenden Verfahrens
G. Franz, F. Schamberger, D. Jocham:
German Patent DE 10 20102 023 343.4, Aug. 17, 2015:
Schichtstruktur zur Abgabe mindestens eines Wirkstoffs
G. Franz, H. Heidari Zare, K. Resch:
German Patent Disclosure DE 10 2014 019 238, Dec. 19, 2014:
Beschichtung der Innenwandung von schlauchförmigen Substraten
G. Franz, R. Kachel:
Internationale Patentschrift 01978136.8-2203-DE0103519 v. Mar. 11, 2004,
Claim for Benefit filed on March 11, 2004, U.S. serial No. 10489,632:
Mittel und Verfahren zur Strukturierung eines Substrates mit einer Maske,
Means and Method for Patterning a Substrate with a Mask
G. Franz:
U.S. patent 6475819 issued on Nov 05, 2002:
Method for formation and production of matrices of high density light emitting diodes
G. Franz, R. Kachel:
German Patent Disclosure GR 2001 E 11699 DE v. Sept. 11, 2001:
Mittel und Verfahren zur Strukturierung eines Substrates (Quadro-Level-Resist)
G. Franz, F. Rinner:
German Patent Disclosures DE 1998 E 05962 DE and 1998 E 05847 DE v. 09-01-2001:
Prozeß zum Aufrauhen von Oberflächen aus GaN/InGaN
Prozeß zum Aufrauhen von Oberflächen aus SiC
G. Franz:
Deutsche Patentschrift DE 198 28 970 C2 v. 18-05-2000:
Verfahren zur Herstellung und Vereinzelung von Halbleiter-Lichtemissionsdioden
G. Franz:
German Patent Disclosure GR 1998 E 5962 DE v. 06-11-1998:
Prozeß zum Aufrauhen von Oberflächen aus SiC
G. Franz:
German Patent Disclosure GR 1998 E 5963 DE v. 06-11-1998:
Verfahren zur gleichmäßigen Übertragung mechanischen Drucks bei hohen Temperaturen und hohen Drücken
G. Franz, F. Rinner:
German Patent Disclosure GR 1998 E 5847 DE v. 25-09-1998:
Prozeß zum Aufrauhen von Oberflächen aus GaN/InGaN
G. Franz:
German Patent Disclosure 19828970.7 v. 29-06-1998:
Planar-Prozeß zur Herstellung von LEDs für das High-Density-Display
G. Franz:
German Patent Disclosure GR 1997 E 5864 DE v. 06-11-1997:
Messung und Optimierung der Effizienz der Mikrowellen- bzw. RF-Einkopplung in Downstream-Plasmaquellen hoher Dichte
G. Franz, O. Schoenfeld:
German Patent Disclosure 19743349.9 v. 30-09-1997:
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips
G. Franz, J. Kaindl:
Deutsche Patentschrift DE 195 04 434 C1 v. 15-05-1996:
Verfahren zur Herstellung extrem glatter Maskenflanken in Si-haltigen Dielektrika
R. Dietrich, G. Franz:
Europäisches Patent 95115231.3-1235 v. 29-11-1995:
Verfahren zur Herstellung monolithischer Linsensysteme aus Halbleitermaterial
B. Stegmüller, G. Franz, J. Heinen:
Europäisches Patent 0 498 169 B1 v. 20-12-1995:
Anordnung einer optischen Kopplung durch das Substrat von optoelektronischen Bauelementen